kumpanya Samsung Elektronika ipinakita mga graphics chip ng pinakabagong henerasyon na Graphics Double Data Rate 7 o GDDR7. Ipinangako ng tagagawa ang pinakamataas na bilis sa industriya at mas mahusay na kahusayan sa enerhiya, at ang mga unang kasosyo ay makakatanggap ng mga chips para sa pagsubok sa taong ito.
Ayon sa mga salita Samsung, ang bagong GDDR7 memory modules (16GB o 2GB bawat chip) ay nagpapahusay ng bandwidth ng 40%, na naghahatid ng kahanga-hangang 1,5TB/s at 32GB/s bawat pin. Para sa paghahambing, ang GDDR6 chips ay inihayag Samsung noong nakaraang taon (magagamit pa rin bilang mga sample), umabot sa 1,1 TB/s.
Ang pagpapabuti ng bilis ay ginawang posible ng Pulse Amplitude Modulation-3 (PAM3) na paraan ng pagbibigay ng senyas sa halip na ang non-return-to-zero (NRZ) na paraan na ginamit sa nakaraang henerasyon. Samsung sinasabing nagbibigay ang PAM3 ng 50% na higit pang data kaysa sa NRZ sa parehong cycle ng pagbibigay ng senyas.
Bilang karagdagan sa pagpapabuti ng bilis at pagganap, binabawasan ng memorya ng GDDR7 ng Samsung ang pagkonsumo ng kuryente at nagbibigay ng 20% na pagtaas sa kahusayan ng enerhiya salamat sa "teknolohiya ng disenyong nakakatipid sa kuryente na na-optimize para sa mga operasyong may mataas na bilis." Ang mga tagagawa ay magkakaroon din ng pagkakataon na magbigay ng kasangkapan sa kanilang mga device (laptop o tablet) na may mababang boltahe na memorya. Gayunpaman, tumpak na data sa boltahe mula sa Samsung hindi pa, kaya asahan ang higit pang mga detalye sa hinaharap.
Sa wakas, sinabi ng Samsung na ang GDDR7 memory nito ay nagtatampok ng epoxy molding compound (EMC) na may mataas na thermal conductivity upang mapabuti ang pag-alis ng init at matiyak ang matatag na pagganap sa panahon ng intensive high-speed operations. Hindi lihim kung gaano kainit ang GDDR6 memory chips, kaya dapat itong pahusayin ng GDDR7 na may 70% lower case thermal resistance kumpara sa GDDR6.
Basahin din: