Noong isang araw, ang vice president ng division Samsung mula sa paggawa ng contract chip na si Jeon Gi-tae sa isang panayam sa publikasyong The Elec iniulat, na sa hinaharap na teknolohikal na proseso SF1.4 (klase 1,4 nm), ang bilang ng mga channel sa transistors ay tataas mula tatlo hanggang apat, na magdadala ng mga nasasalat na pakinabang sa mga tuntunin ng pagganap at pagkonsumo ng enerhiya. Mangyayari ito tatlong taon pagkatapos ng paglabas ng mga katulad na transistors ng Intel, na pipilitin Samsung abutin ang katunggali.
kumpanya Samsung ay ang unang gumawa ng mga transistors na may gate na ganap na pumapalibot sa mga channel sa transistors (SF3E). Nangyari ito mahigit isang taon na ang nakalipas at ginagamit ito nang pili. Halimbawa, ang ganitong uri ng proseso ng 3nm ay ginagamit upang makagawa ng mga chips para sa mga minero ng cryptocurrency. Ang mga channel sa transistors sa bagong teknolohikal na proseso ay manipis na mga nanosheet na inilagay nang isa sa itaas ng isa. Sa mga transistor Samsung tatlong ganoong channel, na napapalibutan ng isang gate sa lahat ng apat na gilid at samakatuwid ang kasalukuyang dumadaloy sa kanila sa ilalim ng tumpak na kontrol na may kaunting pagtagas.
Ang Intel, sa kabaligtaran, ay magsisimulang gumawa ng mga unang transistor nito na may mga nanosheet channel sa 2024 gamit ang 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) na proseso. Mula sa simula, magkakaroon sila ng apat na nanosheet channel sa bawat isa. Nangangahulugan ito na ang GateGAA transistors ng Intel ay magiging mas mahusay kaysa sa mga katulad na transistor Samsung, ay makakapasa sa isang mas mataas na kasalukuyang at magiging mas mahusay sa enerhiya kaysa sa mga transistor ng South Korean na katunggali. Tatagal ito ng halos tatlong taon hanggang Samsung ay hindi magsisimulang gumawa ng mga chips sa teknikal na proseso ng SF1.4, na inaasahang sa 2027. Tulad ng nalaman na ngayon, magiging "four-leaf" din sila - makakatanggap sila ng apat na channel bawat isa sa halip na tatlo ngayon.
Kung ito ay magiging ibang usapin Samsung talagang nasa likod ng Intel sa mga tuntunin ng paggawa? Sa oras na iyon, ang kumpanya ng South Korea ay magkakaroon ng limang taon ng karanasan sa mass production ng GAA transistors, habang ang Intel ay mananatiling isang bagong dating. At sa paggawa ng naturang mga transistor, ang lahat ay halos hindi simple, dahil Samsung gumagamit ng teknikal na prosesong ito nang napakapili. Sa anumang kaso, ang paglipat sa isang bagong arkitektura ng mga transistor ay magiging isang makabuluhang pambihirang tagumpay para sa industriya ng semiconductor at gagawing posible na ilipat ang hadlang na lampas kung saan ang tradisyonal na produksyon ng semiconductor ay wala na sa cutting edge ng pag-unlad sa loob ng ilang taon. .
Basahin din:
- Pagsusuri Samsung Galaxy Fold5: na-update, punong barko, natitiklop
- Pangkalahatang-ideya ng mga processor ng Intel Core 14th generation: ano ang mga ito na kawili-wili at para kanino sila kapaki-pakinabang?