Japanese na tagagawa ng microcircuits Kioxia binuo flash memory NAND na may humigit-kumulang 170 layer, na sumasali sa American counterpart nitong Micron Technology at SK Hynix ng South Korea sa pagbuo ng mga advanced na teknolohiya.
Ang bagong memorya ng NAND ay binuo kasama ng isang Amerikanong kasosyo Western Digital at makakapag-record ng data nang dalawang beses nang mas mabilis kaysa sa kasalukuyang nangungunang produkto ng Kioxia, na binubuo ng 112 layer.
Dating kilala bilang Toshiba Memory, plano ng Kioxia na i-unveil ang bago nitong NAND sa International Solid State Conference, ang taunang pandaigdigang forum ng industriya ng semiconductor, at planong simulan ang mass production sa susunod na taon.
Inaasahan nitong matugunan ang pangangailangan na nauugnay sa mga data center at smartphone, dahil ang pagkalat ng ikalimang henerasyong wireless na teknolohiya ay humahantong sa pagtaas ng dami at bilis ng paghahatid ng data. Ngunit tumitindi na ang kompetisyon sa larangang ito: Ang Micron at SK Hynix ay nag-aanunsyo ng kanilang mga bagong produkto.
Nagawa rin ng Kioxia na magkasya ang mas maraming memory cell sa bawat layer gamit ang bago nitong NAND, ibig sabihin, maaari itong gumawa ng mga chips na 30% na mas maliit kaysa sa iba na may parehong dami ng memorya. Ang mas maliliit na microcircuits ay magbibigay-daan sa higit na kakayahang umangkop sa paglikha ng mga smartphone, server at iba pang mga produkto.
Para mapataas ang produksyon ng flash memory, plano ng Kioxia at Western Digital na simulan ang pagtatayo ng $9,45 bilyon na planta sa Yokkaido, Japan ngayong tagsibol. Nilalayon nilang patakbuhin ang mga unang linya kasing aga ng 2022.
Basahin din: